Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 7.46€ | 9.18€ |
2 - 2 | 7.09€ | 8.72€ |
3 - 4 | 6.87€ | 8.45€ |
5 - 9 | 6.72€ | 8.27€ |
10 - 19 | 6.57€ | 8.08€ |
20 - 29 | 6.34€ | 7.80€ |
30 - 44 | 6.12€ | 7.53€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 7.46€ | 9.18€ |
2 - 2 | 7.09€ | 8.72€ |
3 - 4 | 6.87€ | 8.45€ |
5 - 9 | 6.72€ | 8.27€ |
10 - 19 | 6.57€ | 8.08€ |
20 - 29 | 6.34€ | 7.80€ |
30 - 44 | 6.12€ | 7.53€ |
Transistor de canal N, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V - IHW30N135R5XKSA1. Transistor de canal N, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1350V. C (pol.): 1810pF. Custo): 50pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: Cozinha indutiva, fornos de microondas. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 90A. Marcação na caixa: H30PR5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 310 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.95V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 23:25.
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