Transistor de canal N FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V

Transistor de canal N FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V

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Transistor de canal N FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2-PAK. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 940pF. Corrente do coletor: 40A. Custo): 110pF. Diodo CE: não. Diodo de germânio: não. Função: inversor solar, UPS, máquina de solda, PFC. Ic(pulso): 60A. Marcação na caixa: FGB20N60SF. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: Transistor MOS IGBT de canal N. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 12 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 23:00

FGB20N60SF
26 parâmetros
Ic(T=100°C)
20A
Carcaça
D2PAK ( TO-263 )
Habitação (conforme ficha técnica)
D2-PAK
Tensão do coletor/emissor Vceo
600V
C (pol.)
940pF
Corrente do coletor
40A
Custo)
110pF
Diodo CE
não
Diodo de germânio
não
Função
inversor solar, UPS, máquina de solda, PFC
Ic(pulso)
60A
Marcação na caixa
FGB20N60SF
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
Transistor MOS IGBT de canal N
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
208W
RoHS
sim
Td(desligado)
90 ns
Td(ligado)
12 ns
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
2.4V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
4 v
Tensão porta/emissor VGE(th)máx.
6.5V
Tensão porta/emissor VGE
20V
Tipo de canal
N
Produto original do fabricante
Fairchild