Transistor de canal N FDS6912, SO8, 30 v. Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 29 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 740pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 6A/6A. Marcação do fabricante: FDS6912. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Produto original do fabricante: Onsemi (fairchild). Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:45