Transistor de canal N FDH45N50F-F133, TO-247, 500V
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Transistor de canal N FDH45N50F-F133, TO-247, 500V. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 215 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6630pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 625W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 45A. Marcação do fabricante: FDH45N50F. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 140 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 20:56
FDH45N50F-F133
16 parâmetros
Carcaça
TO-247
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
500V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
215 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
6630pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.12 Ohms @ 22.5A
Dissipação máxima Ptot [W]
625W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
45A
Marcação do fabricante
FDH45N50F
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
140 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
5V
Produto original do fabricante
Onsemi