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Transistor de canal N BUZ80AF, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V
Quantidade
Preço unitário
1-4
1.23€
5-49
1.02€
50-99
0.93€
100+
0.89€
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| Equivalência disponível |
Transistor de canal N BUZ80AF, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.1A. Idss (máx.): 2.1A. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Tensão Vds(máx.): 800V. Função: Transistor N MOSFET. Nota: <100/220ns. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: V-MOS (F). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: --. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 08:57
BUZ80AF
12 parâmetros
DI (T=100°C)
1.5A
DI (T=25°C)
2.1A
Idss (máx.)
2.1A
On-resistência Rds On
3 Ohms
Tensão Vds(máx.)
800V
Função
Transistor N MOSFET
Nota
<100/220ns
Pd (dissipação de energia, máx.)
40W
Quantidade por caixa
1
Tecnologia
V-MOS (F)
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET