Transistor de canal N BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100

Descrição técnica do produto (BSS123):

Vdss (dreno para tensão da fonte): 100V. Tensão Vds(máx.): 100V. Idss (máx.): 100uA. DI (T=25°C): 150mA. On-resistência Rds On: 3.5 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). RoHS: sim. Polaridade: unipolar. Temperatura operacional: -55...+150°C. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: serigrafia/código SMD SA. Tecnologia: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Equivalentes: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Rds em (max) @ id, vgs: 6 Ohms / 120mA / 10V. Proteção GS: não. Td(desligado): 12 ns. IDss (min): 10uA. Potência: 360mW. Td(ligado): 3 ns. VGS (th) (max) @ id: 2.5V @ 250µA. Quantidade por caixa: 1. Marcação do fabricante: BSS123-7-F. Id(im): 600mA. Resistência no estado: 6 Ohms. Marcação na caixa: SA. Vgs(th) mín.: 1V. Corrente de drenagem: 170mA. Tipo de montagem: SMD. C (pol.): 23pF. MSL: 1. QG (carga total do portão, max @ vgs): 1.8nC @ 10V. Custo): 6pF. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tensão porta/fonte Vgs max: ±20V. Tensão da fonte de drenagem: 100V. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.8V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 150mA