Transistor de canal N BS107, TO-92, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, 200V. Carcaça: TO-92. DI (T=25°C): 120mA. Idss (máx.): 30nA. On-resistência Rds On: 15 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 85pF. Corrente de drenagem: 250mA. Custo): 20pF. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Id(im): 2A. Marcação na caixa: BS107. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Polaridade: unipolar. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 6.4 Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Diodes Inc. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31