Transistor de canal N 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 ( 2-5K1B ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 150pF. Custo): 70pF. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Função: Transistor de efeito de campo. Id(im): 6A. Marcação na caixa: ZA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. Proteção GS: Supressor. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Tipo MOS (L2.TT.MOSV). Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 0.8V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31