Toshiba 2SK3936 MOSFET de Potência Canal N 500V 23A TO-3PN

Descrição técnica do produto (2SK3936):

MOSFET de potência de canal N Toshiba 2SK3936. Tensão máxima Drain-Source Vds(max): 500V. Corrente de fuga Drain-Source máxima Idss: 500uA. Corrente de Drain Id (T=25°C): 23A. Resistência de condução Rds On: 0.20 Ohms. Encapsulamento (de acordo com a folha de dados): TO-3P. Encapsulamento: TO-3PN (2-16C1B). Compatível com RoHS: sim. Número de conexões: 3. Montagem/instalação: montagem através de orifício para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: regulador de comutação. Tecnologia: tipo MOS de efeito de campo (MACH-II-MOS VI). Proteção Gate-Source: sim. Tempo de atraso de desligamento Td(off): 80 ns. Tempo de atraso de ligação Td(on): 45 ns. Quantidade por encapsulamento: 1. Corrente de Drain pulsada Id(imp): 92A. Tensão mínima de limiar Gate-Source Vgs(th): 2V. Capacitância de entrada C(in): 4250pF. Capacitância de saída C(out): 420pF. Tempo mínimo de recuperação inversa do diodo Trr: 380 ns. Dissipação máxima de potência: 150W. Proteção Drain-Source: diodo. Tensão Gate-Source Vgs: 30V. Tensão máxima Gate-Emissor VGE(th): 4V. Temperatura: +150°C.