Toshiba 2SK3878 MOSFET de Canal N 900V 9A TO-3P
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Descrição técnica do produto (2SK3878):
Tensão Vds(max): 900V. Idss (máx): 100uA. ID (T=25°C): 9A. ID (T=100°C): 5.3A. Resistência em condução Rds On: 1 Ohm. Invólucro (de acordo com a folha de dados): TO-3P. Invólucro: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). RoHS: sim. Temperatura de operação: -55...+150°C. Informações específicas: Vth=2.0 a 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Número de terminais: 3. Montagem/instalação: Montagem em furo passante para PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de regulador de comutação. Proteção G-S: sim. Td(off): 120ns. IDss (mín): 1uA. Td(on): 65 ns. Quantidade por caixa: 1. Id(imp): 27A. Marcação na caixa: K3878. Vgs(th) mín.: 2V. C(in): 2200pF. C(out): 45pF. Trr Diodo (Mín.): 1.4us. Pd (Dissipação de Potência, Máx): 150W. Acondicionamento: tubo de plástico. Proteção dreno-fonte: diodo. Tensão porta/fonte Vgs: 30 V. Vgs(th) máx.: 4 V. Unidade de acondicionamento: 25
