Toshiba 2SK363 MOSFET de Canal N 3.7 Ohm TO-92

Descrição técnica do produto (2SK363):

MOSFET de canal N Toshiba 2SK363. Corrente de fuga Drain-Source Idss: 100uA. Resistência de condução Rds On: 3.7 Ohms. Encapsulamento (de acordo com a folha de dados): TO-92. Encapsulamento: TO-92. Compatível com RoHS: sim. Número de conexões: 3. Montagem/instalação: montagem através de orifício para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Tecnologia: efeito de campo (TT-MOSIV). Proteção Gate-Source: sim. Tempo de atraso de desligamento Td(off): 125 ns. Tempo de atraso de ligação Td(on): 60 ns. Quantidade por encapsulamento: 1. Capacitância de entrada C(in): 700pF. Capacitância de saída C(out): 75pF. Tempo mínimo de recuperação inversa do diodo Trr: 850 ns. Proteção Drain-Source: diodo.