Toshiba 2SK3568 MOSFET de Potência Canal N 500V 12A TO-220F

Descrição técnica do produto (2SK3568):

MOSFET de potência de canal N Toshiba 2SK3568. Tensão máxima Drain-Source Vds(max): 500V. Corrente de fuga Drain-Source máxima Idss: 100uA. Corrente de Drain Id (T=25°C): 12A. Corrente de Drain Id (T=100°C): 12A. Resistência de condução Rds On: 0.4 Ohms. Encapsulamento (de acordo com a folha de dados): TO-220F. Encapsulamento: TO-220FP. Compatível com RoHS: sim. Número de conexões: 3. Montagem/instalação: montagem através de orifício para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: fonte de alimentação comutada (SMPS). Tecnologia: efeito de campo (TT-MOSVI). Temperatura máxima: +150°C. Proteção Gate-Source: sim. Tempo de atraso de desligamento Td(off): 170 ns. Tempo de atraso de ligação Td(on): 50 ns. Quantidade por encapsulamento: 1. Corrente de Drain pulsada Id(imp): 48A. Marcação no encapsulamento: K3568. Tensão mínima de limiar Gate-Source Vgs(th): 2V. Capacitância de entrada C(in): 1500pF. Capacitância de saída C(out): 180pF. Tempo mínimo de recuperação inversa do diodo Trr: 1200 ns. Dissipação máxima de potência: 40W. Proteção Drain-Source: diodo. Tensão Gate-Source Vgs: 30V. Temperatura: +150°C.