Toshiba 2SK2039 MOSFET V-MOS de Canal N, 900V, 5A, Encapsulamento TO-3PN

Descrição técnica do produto (2SK2039):

Tensão Vds(max): 900V. Idss (max): 300uA. ID (T=25°C): 5A. ID (T=100°C): 3A. Resistência de condução Rds On: 1,9 Ohms. Encapsulamento (de acordo com a folha de dados): TO-3PN. Encapsulamento: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: sim. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: Montagem em furo passante de PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Alta velocidade. Tecnologia: V-MOS. Temperatura máxima: +150°C. Proteção G-S: não. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Quantidade por caixa: 1. Id(imp): 15A. Vgs(th) min.: 1,5V. C(in): 690pF. C(oss): 120pF. Trr Diodo (Min.): 1450 ns. Pd (Dissipação de Potência, Máx): 150W. Proteção dreno-fonte: diodo. Tensão gate/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 3,5V.