STMicroelectronics STP4NB80 MOSFET PowerMESH Canal N, 800V, 4A

Descrição técnica do produto (STP4NB80):

Tensão Drain-Source Vds(max): 800V. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (máx): 50uA. Corrente de Dreno Id (T=25°C): 4A. Corrente de Dreno Id (T=100°C): 2A. Resistência em Condução Rds On: 3 Ohms. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Alta corrente, comutação de alta velocidade. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Proteção Gate-Source: não. Tempo de atraso de desligamento Td(off): 12 ns. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (min): 1uA. Tempo de atraso de ligação Td(on): 14 ns. Quantidade por encapsulamento: 1. Corrente de Dreno Pulsada Id(imp): 16A. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) min.: 3V. Capacitância de Entrada C (in): 700pF. Capacitância de Saída C (out): 95pF. Tempo de Recuperação Reversa do Diodo Trr (Min.): 600 ns. Dissipação Máxima de Potência: 100W. Proteção Drain-Source: sim. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) max.: 5V