STMicroelectronics STP200N4F3 MOSFET de Potência STripFET™ Canal N, 40V, 60.4k Ohms, TO-220

Descrição técnica do produto (STP200N4F3):

Tensão Drain-Source Vds(max): 40V. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (máx): 100uA. Corrente de Dreno Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Corrente de Dreno Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Resistência em Condução Rds On: 3M Ohms. Encapsulamento (conforme folha de dados): TO-220. Encapsulamento: TO-220. RoHS: sim. Temperatura de operação: -55...+175°C. Número de conexões: 3. Montagem/Instalação: Montagem em furo para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação, aplicações automotivas. Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Proteção Gate-Source: não. Tempo de atraso de desligamento Td(off): 90 ns. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (min): 10uA. Tempo de atraso de ligação Td(on): 19 ns. Quantidade por encapsulamento: 1. Corrente de Dreno Pulsada Id(imp): 480A. Marcação no encapsulamento: 200N4F3. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacitância de Entrada C (in): 5100pF. Capacitância de Saída C (out): 1270pF. Tempo de Recuperação Reversa do Diodo Trr (Min.): 67 ns. Dissipação Máxima de Potência: 300W. Proteção Drain-Source: Diodo Zener. Tensão Gate-Source Vgs: 20V. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) max.: 4V