STMicroelectronics STP11NM80 MOSFET MDmesh Canal N, 800V, 11A, TO-220

Descrição técnica do produto (STP11NM80):

Tensão Drain-Source Vds(max): 800V. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (máx): 100uA. Corrente de Dreno Id (T=25°C): 11A. Corrente de Dreno Id (T=100°C): 4.7A. Resistência em Condução Rds On: 0.35 Ohms. Encapsulamento (conforme folha de dados): TO-220. Encapsulamento: TO-220. RoHS: sim. Temperatura de operação: -65...+150°C. Número de conexões: 3. Montagem/Instalação: Montagem em furo para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Baixa capacitância de entrada, resistência e carga de gate. Tecnologia: MDmesh MOSFET. Proteção Gate-Source: não. Tempo de atraso de desligamento Td(off): 46 ns. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (min): 10uA. Tempo de atraso de ligação Td(on): 22 ns. Quantidade por encapsulamento: 1. Corrente de Dreno Pulsada Id(imp): 44A. Marcação no encapsulamento: P11NM80. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) min.: 3V. Capacitância de Entrada C (in): 1630pF. Capacitância de Saída C (out): 750pF. Tempo de Recuperação Reversa do Diodo Trr (Min.): 612 ns. Dissipação Máxima de Potência: 150W. Embalagem: Tubo de plástico. Proteção Drain-Source: Diodo Zener. Tensão Gate-Source Vgs: 30V. Unidade de embalagem: 50