Stmicroelectronics STP11NM60 MOSFET de Potência MDmesh Canal N, 600V Drain-Source, 11A Corrente de D

Descrição técnica do produto (STP11NM60):

Tensão máxima Drain-Source Vds(max): 600V. Corrente de fuga máxima Drain-Source Idss (max): 10uA. Corrente de dreno contínua ID (T=25°C): 11A. Corrente de dreno contínua ID (T=100°C): 7A. Resistência em condução Rds On: 0.4 Ohms. Encapsulamento: TO-220. Compatível com RoHS: Sim. Características especiais: Altas capacidades dv/dt e de avalanche. Número de terminais: 3. Tipo de montagem: Montagem em furo passante PCB. Tipo de canal: Canal N. Tipo de transistor: MOSFET. Características principais: Baixa capacitância de entrada, baixa resistência em condução, baixa carga de gate. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Temperatura máxima de operação: +150°C. Proteção Gate-Source: Não. Tempo de atraso de desligamento Td(off): 6 ns. Corrente de fuga mínima Drain-Source IDss (min): 1uA. Tempo de atraso de ligação Td(on): 20 ns. Corrente de dreno pulsada Id(imp): 44A. Tensão mínima de limiar Gate-Source Vgs(th): 3V. Capacitância de entrada C(in): 1000pF. Capacitância de saída C(oss): 230pF. Tempo de recuperação inversa do diodo Trr (Min.): 390 ns. Dissipação de potência máxima Pd: 160W. Proteção Drain-Source: Diodo Zener. Tensão máxima Gate-Source Vgs: 30V. Embalagem: Tubo de plástico, 50 unidades por tubo.