STMicroelectronics STB12NM50N MOSFET de Potência MDmesh Canal N, 550V, 11A, D2PAK (TO-263)

Descrição técnica do produto (STB12NM50N):

Tensão Drain-Source Vds(max): 550V. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (máx): 100uA. Corrente de Dreno Id (T=25°C): 11A. Corrente de Dreno Id (T=100°C): 6.8A. Resistência em Condução Rds On: 0.29 Ohms. Encapsulamento (conforme folha de dados): D2PAK (TO-263). Encapsulamento: D2PAK (TO-263). RoHS: sim. Número de conexões: 2. Montagem/Instalação: Componente de montagem em superfície (SMD). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Alto dv/dt, baixa capacitância de gate. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Proteção Gate-Source: não. Tempo de atraso de desligamento Td(off): 60 ns. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (min): 1uA. Tempo de atraso de ligação Td(on): 15 ns. Quantidade por encapsulamento: 1. Corrente de Dreno Pulsada Id(imp): 44A. Marcação no encapsulamento: B12NM50N. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacitância de Entrada C (in): 940pF. Capacitância de Saída C (out): 100pF. Tempo de Recuperação Reversa do Diodo Trr (Min.): 340 ns. Dissipação Máxima de Potência: 100W. Proteção Drain-Source: sim. Tensão Gate-Source Vgs: 25V. Temperatura: +150°C