Power MOSFET de Canal N Fuji Electric 2SK3530-01MR, 800V, 7A, 1.46 Ohm, Encapsulamento TO-220F

Descrição técnica do produto (2SK3530-01MR):

Tensão Drain-Source Vds(max): 800V. Corrente de Fuga Drain-Source Idss(max): 250uA. Corrente de Dreno Contínua Id (T=25°C): 7A. Corrente de Dreno Contínua Id (T=100°C): 7A. Resistência On-State Rds(On): 1.46 Ohms. Encapsulamento (de acordo com a folha de dados): TO-220F. Encapsulamento: TO-220FP. Compatível com RoHS: Sim. Número de Conexões: 3. Tipo de Montagem: Montagem através do furo. Tipo de Canal: N. Tipo de Transistor: MOSFET. Função: Fonte de Alimentação Chaveada (SMPS). Tecnologia: Série Super FAP-G POWER MOSFET. Proteção Gate-Source: Não. Tempo de Atraso de Desligamento Td(off): 40 ns. Corrente de Fuga Drain-Source Idss(min): 25uA. Tempo de Atraso de Ligamento Td(on): 21 ns. Quantidade por Encapsulamento: 1. Corrente de Dreno Pulsada Id(imp): 28A. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) min.: 3V. Capacitância de Entrada C(in): 740pF. Capacitância de Saída C(out): 105pF. Tempo de Recuperação Reversa do Diodo Trr (Min.): 2.3 ns. Dissipação Máxima de Potência: 70W. Proteção Drain-Source: Sim. Tensão Gate-Source Vgs: 30V. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) max.: 5V.