Optoacopladores

CTR: >1000 %. Diodo SE: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 150mA. Saída: saída de transistor darlington. Número de terminais: 6. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 20us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tr: 100us. Temperatura operacional: -25...+100°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vrms: 5 kV

CTR: 130...260 %. Diodo SE: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 50mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 7.62mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 3us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura operacional: -30...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5 kV

CTR: 200...400 %. Diodo SE: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 50mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Passo: 7.62mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 3us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura operacional: -30...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V. Spec info: Vceo 80V

CTR: 80...160 %. Diodo SE: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 70mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 30mA. Nota: Vceo 35V. Marcação na caixa: PC817A. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 3us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 4us. Temperatura operacional: -30...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 50 %. Corrente de entrada nominal (mA): 5mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 18us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 18us. Tensão máxima de saída (V): 80V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -30°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral

RoHS: NINCS. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP8. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 8:1. Tipo de optoacoplador: optoacoplador duplo, entrada CA. Número de circuitos: 2. Tipo de entrada: LED infravermelho antiparalelo. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 20 %. Corrente de entrada nominal (mA): 1mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 18us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 18us. Tensão máxima de saída (V): 80V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -30°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP8. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 8:1. Tipo de optoacoplador: optoacoplador duplo, entrada CA. Número de circuitos: 2. Tipo de entrada: LED infravermelho antiparalelo. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 20 %. Corrente de entrada nominal (mA): 1mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 18us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 18us. Tensão máxima de saída (V): 80V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -30°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

CTR: 50...100 %. Nota: Vceo 35V. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP-8. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP8. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 8:1. Tipo de optoacoplador: optoacoplador padrão, Dobro. Número de circuitos: 2. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 50..600 %. Corrente de entrada nominal (mA): 20mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 18us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 18us. Tensão máxima de saída (V): 35V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -30°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP8. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 8:1. Tipo de optoacoplador: optoacoplador padrão, Dobro. Número de circuitos: 2. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 50..400 %. Corrente de entrada nominal (mA): 20mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 15us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 15us. Tensão máxima de saída (V): 35V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -25°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

CTR: 200...1000 %. Diodo SE: 80mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 150mW. Tensão limite do diodo: 1.17V. Corrente do coletor: 200mA. Saída: saída de transistor darlington. Número de terminais: 4. Passo: 7.62mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 100us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 100us. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vrms: 5 kV

CTR: 200...1000 %. Diodo SE: 80mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 120W. Tensão limite do diodo: 1.17V. Corrente do coletor: 160mA. Saída: saída de transistor darlington. Número de terminais: 16. Passo: 7.62mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 160mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 100us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-16. Tr: 100us. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vrms: 5 kV

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 100dB. CTR: 130...260 %. Diodo SE: 30mA. Diodo FI Courant (pico): 500mA. Potência do diodo: 150mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 30mA. Marcação na caixa: PS2561A-1. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 7.62mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 5us. Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Vrms: 5 kV

CTR: 200...400 %. Diodo SE: 30mA. Diodo FI Courant (pico): 500mA. Potência do diodo: 150mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 30mA. Marcação na caixa: PS2561A-1. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 7.62mm. Dimensões: 6.5x4.6mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 7us. Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Tr: 5us. Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Vrms: 5 kV

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 100dB. CTR: 130...260 %. Diodo SE: 30mA. Diodo FI Courant (pico): 500mA. Potência do diodo: 150mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 30mA. Marcação na caixa: PS2561AL1-1. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Passo: 10.16mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 5us. Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 5V. Vrms: 5 kV

CTR: 80...600 %. Diodo SE: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 60mW. Tensão limite do diodo: 1.1V. Corrente do coletor: 50mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 7mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 120mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 5us. Carcaça: SO-4. Habitação (conforme ficha técnica): SO-4. Tr: 3us. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vrms: 2500V. Spec info: Comutação de alta velocidade (tr=3us TYP, tf=5us TYP)

CTR: 50...400 %. Diodo SE: 30mA. Diodo FI Courant (pico): 0.5A. Potência do diodo: 80mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 30mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 16. Passo: 7mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 120mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 7us. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-16. Tr: 5us. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vrms: 2500V. Spec info: Comutação de alta velocidade (tr=5us TYP, tf=7us TYP)

RoHS: NINCS. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP8. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: FET, interruptor. Tensão de isolamento Uiso [kV]: 4 kV. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 2ms. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 0.5ms. Tensão máxima de saída (V): 60VAC/DC. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Tipo de optoacoplador: optoacoplador, interruptor de sinal

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tensão de isolamento Uiso [kV]: 4 kV. Corrente de entrada nominal (mA): 5mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 2ms. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 0.5ms. Tensão máxima de saída (V): 60VAC/DC. Tipo de saída: MOSFET. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Tipo de optoacoplador: optoacoplador, interruptor de sinal

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO6. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Tipo de optoacoplador: comutação de energia. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: MOSFET. Tensão de isolamento Uiso [kV]: 4 kV. Corrente de entrada nominal (mA): 5..25mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 2ms. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 0.5ms. Tensão máxima de saída (V): 60V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD-6. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV. Taxa: 160 %. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 5.8us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 54us. Tensão máxima de saída (V): 70V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral

CTR: 100...200 %. Diodo SE: 60mA. Data de produção: soldagem PCB. Saída: saída de transistor . RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 14us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tr: 4.2us. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. VRRM: 5300V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 3us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 3us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

CTR: 100...200 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 2.5A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.25V. Data de produção: 2014/42. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor . Passo: 10.03mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 14us. Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Tr: 3us. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VRRM: 5300V. Número de terminais: 4. Spec info: frequência de corte 250kHz

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOP4. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV. Taxa: 100 %. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 3us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 2.3us. Tensão máxima de saída (V): 70V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral

CTR: 40...80 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 2.5A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.25V. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor . Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Passo: 7.92mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 11us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 3us. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VRRM: 5300V. Número de terminais: 4. Spec info: frequência de corte 250kHz