Optoacopladores

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 100dB. CTR: 130...260 %. Diodo SE: 30mA. Diodo FI Courant (pico): 500mA. Potência do diodo: 150mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 30mA. Marcação na caixa: PS2561A-1. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 7.62mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 5us. Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Vrms: 5 kV

CTR: 200...400 %. Diodo SE: 30mA. Diodo FI Courant (pico): 500mA. Potência do diodo: 150mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 30mA. Marcação na caixa: PS2561A-1. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 7.62mm. Dimensões: 6.5x4.6mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 7us. Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Tr: 5us. Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Vrms: 5 kV

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 100dB. CTR: 130...260 %. Diodo SE: 30mA. Diodo FI Courant (pico): 500mA. Potência do diodo: 150mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 30mA. Marcação na caixa: PS2561AL1-1. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Passo: 10.16mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 7us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 5us. Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 5V. Vrms: 5 kV

Tipo: saída de transistor. Carcaça: SOP4. Output CurrentmA: 30mA. Número de canais: 1. Taxa de transferência atual CTR: 50-300%. Tensão de isolamento: 3750V. Série: NEPOC

CTR: 80...600 %. Diodo SE: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Potência do diodo: 60mW. Tensão limite do diodo: 1.1V. Corrente do coletor: 50mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 7mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 120mW. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta velocidade (tr=3us TYP, tf=5us TYP). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 5us. Carcaça: SO-4. Habitação (conforme ficha técnica): SO-4. Tr: 3us. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vrms: 2500V

CTR: 50...400 %. Diodo SE: 30mA. Diodo FI Courant (pico): 0.5A. Potência do diodo: 80mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 30mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 16. Passo: 7mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 120mW. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta velocidade (tr=5us TYP, tf=7us TYP). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 7us. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-16. Tr: 5us. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vrms: 2500V

RoHS: NINCS. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP8. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador, interruptor de sinal. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: FET, interruptor. Tensão de isolamento Uiso [kV]: 4 kV. Tensão máxima de saída (V): 60VAC/DC. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 2ms. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 0.5ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Tipo de optoacoplador: optoacoplador, interruptor de sinal. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: MOSFET. Tensão de isolamento Uiso [kV]: 4 kV. Tensão máxima de saída (V): 60VAC/DC. Corrente de entrada nominal (mA): 5mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 2ms. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 0.5ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO6. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Tipo de optoacoplador: comutação de energia. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: MOSFET. Tensão de isolamento Uiso [kV]: 4 kV. Tensão máxima de saída (V): 60V. Corrente de entrada nominal (mA): 5..25mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 2ms. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 0.5ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C

Tipo: Fotovoltaico. Carcaça: DIP8. Output CurrentmA: n/a. Número de canais: 2. Taxa de transferência atual CTR: n/a. Tensão de isolamento: 2500V. Informação: n/a. Série: n/a

RoHS: sim. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 3us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 3us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP6. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5 kV. Taxa: 100..200 %. Tensão máxima de saída (V): 100V

CTR: 100...200 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 2.5A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.25V. Data de produção: 2014/42. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 10.03mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Spec info: frequência de corte 250kHz. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 14us. Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Tr: 3us. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VRRM: 5300V

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOP4. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV. Taxa: 100 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 3us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 2.3us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

CTR: 40...80 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 2.5A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.25V. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 2.54mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Spec info: frequência de corte 250kHz. Passo: 7.92mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 11us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tr: 3us. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VRRM: 5300V

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV. Taxa: 100 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 3us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 3us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4 400 mil. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV. Taxa: 100 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 3us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 3us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: sim. Taxa: 19 %. Tensão máxima de saída (V): 25V. Corrente de entrada nominal (mA): 16mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 0.8us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 0.8us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP8. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 8:1. Tipo de optoacoplador: Optocoupler para transmissão digital. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOP4. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV. Taxa: 40 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 3us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 14us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOP4. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV. Taxa: 63 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 3us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 14us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1000. CTR: 100...200 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 2.5A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.25V. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: SFH6156-3. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 10.03mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Spec info: frequência de corte 250kHz. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 14us. Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Tr: 3us. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vrms: 5300V

RoHS: sim. Família de componentes: Optoacoplador. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOP4. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tipo de optoacoplador: optoacoplador de uso geral. Número de circuitos: 1. Tipo de entrada: LED infravermelho. Tipo de saída: transistor NPN . Tensão de isolamento Uiso [kV]: 5.3 kV. Taxa: 100 %. Tensão máxima de saída (V): 70V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 3us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 14us. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1000. CTR: 100...200 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 2.5A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.25V. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Nota: VDE, UL, cUL, BSI, FIMKO. Marcação na caixa: SFH6156-3. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Passo: 10.03mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Spec info: frequência de corte 250kHz. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 14us. Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Tr: 3us. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vrms: 5300V

CTR: 40...80 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 2.5A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.25V. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Temperatura operacional: -50...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Vrms: 5300V

CTR: 63...125 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 2.5A (Tp >10us). Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.25...1.65V. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100m A (Tp >10ms). Saída: saída de transistor . Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Vrms: 5300V

Nota: CRT 100-200%. Nota: Vrms 5.3kV. Nota: Vceo=70V. Saída: saída de transistor . Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V