PC817X1J000F

PC817X1J000F

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.44€
5-49
0.35€
50-99
0.31€
100-249
0.28€
250+
0.24€
Quantidade em estoque: 115

PC817X1J000F. CTR: 80...160 %. Carcaça: DIP. Corrente do coletor: 30mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Diodo SE: 50mA. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Marcação na caixa: PC817A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: Vceo 35V. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. Potência do diodo: 70mW. RoHS: sim. Saída: saída de transistor. Temperatura operacional: -30...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Tensão limite do diodo: 1.2V. Tf (tipo): 3us. Tr: 4us. VECO: 6V. VRRM: 5000V. Produto original do fabricante: Sharp. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:33

Documentação técnica (PDF)
PC817X1J000F
23 parâmetros
CTR
80...160 %
Carcaça
DIP
Corrente do coletor
30mA
Diodo FI Courant (pico)
1A
Diodo SE
50mA
Habitação (conforme ficha técnica)
DIP-4
Marcação na caixa
PC817A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Nota
Vceo 35V
Número de terminais
4
Pd (dissipação de energia, máx.)
150mW
Potência do diodo
70mW
RoHS
sim
Saída
saída de transistor
Temperatura operacional
-30...+100°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.1V
Tensão do coletor/emissor Vceo
80V
Tensão limite do diodo
1.2V
Tf (tipo)
3us
Tr
4us
VECO
6V
VRRM
5000V
Produto original do fabricante
Sharp