MOSFET de Canal N Toshiba 2SK2662, 500V, 5A, 1.35 Ohm, Encapsulamento TO-220FP

Descrição técnica do produto (2SK2662):

Tensão Drain-Source Vds(max): 500V. Corrente de Fuga Drain-Source Idss(max): 100uA. Corrente de Dreno Contínua Id (T=25°C): 5A. Resistência On-State Rds(On): 1.35 Ohms. Encapsulamento (de acordo com a folha de dados): TO-220FP. Encapsulamento: TO-220FP. Compatível com RoHS: Sim. Número de Conexões: 3. Tipo de Montagem: Montagem através do furo. Tipo de Canal: N. Tipo de Transistor: MOSFET. Função: Comutação de Alta Velocidade, Protegido por Zener. Tecnologia: Transistor de Efeito de Campo (TT-MOS V). Proteção Gate-Source: Sim. Tempo de Atraso de Desligamento Td(off): 60 ns. Tempo de Atraso de Ligamento Td(on): 25 ns. Quantidade por Encapsulamento: 1. Corrente de Dreno Pulsada Id(imp): 20A. Marcação no Encapsulamento: K2662. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacitância de Entrada C(in): 780pF. Capacitância de Saída C(out): 200pF. Tempo de Recuperação Reversa do Diodo Trr (Min.): 1400 ns. Dissipação Máxima de Potência: 35W. Proteção Drain-Source: Diodo. Tensão Gate-Source Vgs: 30V. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) max.: 4V. Temperatura: +150°C.