MOSFET de Canal N Sanken 2SK3199, 500V, 5A, 1.2 Ohm, Encapsulamento TO220F-3L

Descrição técnica do produto (2SK3199):

Tensão Drain-Source Vds(max): 500V. Corrente de Fuga Drain-Source Idss(max): 100uA. Corrente de Dreno Contínua Id (T=25°C): 5A. Resistência On-State Rds(On): 1.2 Ohms. Encapsulamento (de acordo com a folha de dados): TO220F-3L. Encapsulamento: TO-220FP. Compatível com RoHS: Sim. Tipo de Montagem: Montagem através do furo. Tipo de Canal: N. Tipo de Transistor: MOSFET. Função: MOSFET de Canal N. Tecnologia: V-MOS (F). Equivalências: FS5KM-10-AW. Tempo de Atraso de Desligamento Td(off): 60 ns. Corrente de Fuga Drain-Source Idss(min): 0.1uA. Tempo de Atraso de Ligamento Td(on): 18 ns. Quantidade por Encapsulamento: 1. Corrente de Dreno Pulsada Id(imp): 20A. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacitância de Entrada C(in): 650pF. Capacitância de Saída C(out): 250pF. Tempo de Recuperação Reversa do Diodo Trr (Min.): 2us. Dissipação Máxima de Potência: 30W. Tensão Gate-Source Vgs: 30V. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) max.: 4V.