MOSFET de Canal N Hitachi 2SK1170, 500V, 20A, 0.27 Ohm, Encapsulamento TO-3P

Descrição técnica do produto (2SK1170):

Tensão Drain-Source Vds(max): 500V. Corrente de Fuga Drain-Source Idss(max): 250uA. Corrente de Dreno Contínua Id (T=25°C): 20A. Resistência On-State Rds(On): 0.27 Ohms. Encapsulamento (de acordo com a folha de dados): TO-3P. Encapsulamento: TO-3P (TO-218 SOT-93). Temperatura de Operação: -55...+150°C. Características Especiais: High speed switching, low drive current. Número de Conexões: 3. Tipo de Montagem: Montagem através do furo. Tipo de Canal: N. Tipo de Transistor: MOSFET. Função: MOSFET de Canal N. Tecnologia: V-MOS. Proteção Gate-Source: Sim. Tempo de Atraso de Desligamento Td(off): 200 ns. Tempo de Atraso de Ligamento Td(on): 32 ns. Quantidade por Encapsulamento: 1. Corrente de Dreno Pulsada Id(imp): 80A. Capacitância de Entrada C(in): 2800pF. Capacitância de Saída C(out): 780pF. Tempo de Recuperação Reversa do Diodo Trr (Min.): 500 ns. Dissipação Máxima de Potência: 120W. Proteção Drain-Source: Diodo. Tensão Gate-Source Vgs: 30V.