MOSFET de Canal N Fuji Electric 2SK2647, 800V, 4A, 3.19 Ohm, Encapsulamento TO-220F15

Descrição técnica do produto (2SK2647):

Tensão Drain-Source Vds(max): 800V. Corrente de Fuga Drain-Source Idss(max): 200uA. Corrente de Dreno Contínua Id (T=25°C): 4A. Corrente de Dreno Contínua Id (T=100°C): 4A. Resistência On-State Rds(On): 3.19 Ohms. Encapsulamento (de acordo com a folha de dados): TO-220F15. Encapsulamento: TO-220. Número de Conexões: 3. Tipo de Montagem: Montagem através do furo. Tipo de Canal: N. Tipo de Transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Tecnologia: Série FAP-IIS MOS-FET. Proteção Gate-Source: Não. Tempo de Atraso de Desligamento Td(off): 50 ns. Corrente de Fuga Drain-Source Idss(min): 10uA. Tempo de Atraso de Ligamento Td(on): 20 ns. Quantidade por Encapsulamento: 1. Corrente de Dreno Pulsada Id(imp): 16A. Marcação no Encapsulamento: K2647. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) min.: 3.5V. Capacitância de Entrada C(in): 450pF. Capacitância de Saída C(out): 75pF. Tempo de Recuperação Reversa do Diodo Trr (Min.): 450 ns. Dissipação Máxima de Potência: 40W. Proteção Drain-Source: Diodo. Tensão Gate-Source Vgs: 30V. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) max.: 4.5V. Temperatura: +150°C.