K6R1008C1D-TC10

K6R1008C1D-TC10. RoHS: NINCS. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TSOP2-32. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 32. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Família de circuitos de memória: K6R. Tamanho da memória [byte]: 128 KByte. Configuração de memória: 128K x 8-bit. Sinal de clock máximo (MHz): 10 ns. Tipo de interface: Paralela. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Produto original do fabricante Samsung. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 06:25.