Circuitos de memória RAM

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Família de circuitos de memória: 23LC. Tamanho da memória [byte]: 1Mbit. Configuração de memória: 128K x 8-bit. Tipo de interface: SPI. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 20 MHz. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento serial. Tensão mínima de alimentação (V): +2.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP24. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 24. Tamanho da memória [byte]: 2 KByte. Configuração de memória: 2K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Sinal de clock máximo (MHz): 100 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo

RoHS: NINCS. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 32. Família de circuitos de memória: U62. Tamanho da memória [byte]: 128 KByte. Configuração de memória: 128K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Sinal de clock máximo (MHz): 70 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO28W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 28. Família de circuitos de memória: U62. Tamanho da memória [byte]: 8 KByte. Configuração de memória: 8K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Sinal de clock máximo (MHz): 70 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO28W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 28. Família de circuitos de memória: U62H. Tamanho da memória [byte]: 32 KByte. Configuração de memória: 32K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 55 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP28. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 28. Família de circuitos de memória: A62. Tamanho da memória [byte]: 8 KByte. Configuração de memória: 8K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Sinal de clock máximo (MHz): 70 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 32. Família de circuitos de memória: AS6C. Tamanho da memória [byte]: 128 KByte. Configuração de memória: 128K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Sinal de clock máximo (MHz): 55 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +2.7V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO32W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 32. Família de circuitos de memória: AS6C. Tamanho da memória [byte]: 128 KByte. Configuração de memória: 128K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 55 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +2.7V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO32W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 32. Família de circuitos de memória: AS6C. Tamanho da memória [byte]: 128 KByte. Configuração de memória: 128K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 55 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +2.7V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO32W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 32. Família de circuitos de memória: AS6C. Tamanho da memória [byte]: 512 KByte. Configuração de memória: 512K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 55 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +2.7V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO28W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 28. Família de circuitos de memória: AS6C. Tamanho da memória [byte]: 32 KByte. Configuração de memória: 32K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 55 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +2.7V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP28. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 28. Família de circuitos de memória: AS6C. Tamanho da memória [byte]: 32 KByte. Configuração de memória: 32K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 70 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +2.7V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TSOP28. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 28. Família de circuitos de memória: BS62LV. Tamanho da memória [byte]: 32 KByte. Configuração de memória: 32K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 70 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +2.4V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 32. Família de circuitos de memória: BS62LV. Tamanho da memória [byte]: 512 KByte. Configuração de memória: 512K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 55 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +2.4V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP24. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 24. Família de circuitos de memória: DS12. Tamanho da memória [byte]: 2 KByte. Configuração de memória: 2K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Sinal de clock máximo (MHz): 100 ns. Tipo de memória: SRAM com bateria, acesso paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP28. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 28. Família de circuitos de memória: DS12. Tamanho da memória [byte]: 8 KByte. Configuração de memória: 8K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Sinal de clock máximo (MHz): 150 ns. Tipo de memória: SRAM com bateria, acesso paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TSOP2-44. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 44. Família de circuitos de memória: IS61LV. Tamanho da memória [byte]: 256 KByte. Configuração de memória: 128K x 16-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 10 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +3V. Tensão máxima de alimentação (V): +3.6V

RoHS: NINCS. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TSOP2-32. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 32. Família de circuitos de memória: K6R. Tamanho da memória [byte]: 128 KByte. Configuração de memória: 128K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Sinal de clock máximo (MHz): 10 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: NINCS. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TSOP2-F32. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 32. Família de circuitos de memória: K6T. Tamanho da memória [byte]: 512 KByte. Configuração de memória: 512K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 55 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP24. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 24. Família de circuitos de memória: M48T. Tamanho da memória [byte]: 2 KByte. Configuração de memória: 2K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Sinal de clock máximo (MHz): 70 ns. Tipo de memória: SRAM com bateria, acesso paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +4.75V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP28. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 28. Família de circuitos de memória: M48Z. Tamanho da memória [byte]: 8 KByte. Configuração de memória: 8K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Sinal de clock máximo (MHz): 100 ns. Tipo de memória: SRAM com bateria, acesso paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +4.75V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V. Carcaça (padrão JEDEC): montagem através de furo PCB

RoHS: sim. Família de componentes: circuito integrado de interface . Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO16. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 16. Número de circuitos de controle: 0. Número de circuitos receptores: 4. Tipo de comunicação: Duplex. Desativável: sim. Velocidade de comunicação [bit]: 10Mbit. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 0°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +70°C. Tipo de circuitos: interface serial, receptor diferencial. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V. Número de circuitos receptores na linha, máx.: 128

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO32W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 32. Família de circuitos de memória: R1LP. Tamanho da memória [byte]: 512 KByte. Configuração de memória: 512K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 55 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +4.5V. Tensão máxima de alimentação (V): +5.5V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO32W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 32. Família de circuitos de memória: R1LV. Tamanho da memória [byte]: 512 KByte. Configuração de memória: 512K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 55 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +2.7V. Tensão máxima de alimentação (V): +3.6V

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO32W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 32. Família de circuitos de memória: R1LV. Tamanho da memória [byte]: 512 KByte. Configuração de memória: 512K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 55 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +2.7V. Tensão máxima de alimentação (V): +3.6V