IXYS IXFH32N50 MOSFET de Potência HiPerFET Canal N, 500V Dreno-Fonte, 32A Corrente de Dreno, Encapsu

Descrição técnica do produto (IXFH32N50):

Este MOSFET de potência HiPerFET de canal N IXYS IXFH32N50 apresenta uma tensão máxima dreno-fonte (Vds) de 500V e uma corrente de dreno contínua (ID) de 32A a 25°C. Sua resistência de condução (Rds On) é de 0,15 Ohms. O componente é alojado em um encapsulamento TO-247AD, adequado para montagem em furo passante em PCB. Opera dentro de uma faixa de temperatura de -55°C a +150°C e é compatível com RoHS. As especificações chave incluem uma dissipação de potência (Pd) de 360W, uma tensão porta-fonte (Vgs) de 20V e um tempo de atraso de ligação (Td(on)) de 35 ns. Oferece proteção dreno-fonte.