IXTP90N055T

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IXTP90N055T. C (pol.): 2500pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(im): 240A. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 176W. On-resistência Rds On: 0.066 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: TrenchMVTM Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.

Documentação técnica

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IXTP90N055T2

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