IXTA36N30P

IXTA36N30P. C (pol.): 2250pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 90A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.092 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: PolarHTTM Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263AB ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 300V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.