IXFR180N15P

IXFR180N15P. C (pol.): 7000pF. Custo): 2250pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Superfície traseira eletricamente isolada. Id(im): 380A. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 1.5mA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 13m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Nota: tensão de isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.