IXFR120N20P

IXFR120N20P. C (pol.): 9100pF. Custo): 2200pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Superfície traseira eletricamente isolada. Id(im): 480A. DI (T=25°C): 105A. Idss (máx.): 2uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 400W. On-resistência Rds On: 17m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Nota: tensão de isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.