Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRFD123

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IRFD123. C (pol.): 360pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10A. DI (T=100°C): 0.94A. DI (T=25°C): 1.3A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 6.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 00:25.

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C (pol.): 360pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener ....
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C (pol.): 360pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10A. DI (T=100°C): 0.94A. DI (T=25°C): 1.3A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 6.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS
IRFD120
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