IRFD014

IRFD014. C (pol.): 310pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: FET. Função: td(on) 10ns, td(off) 13ns. Id(im): 14A. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 00:25.