International Rectifier IRFB23N15D MOSFET de Potência HEXFET de Canal N 150V 23A 0.09 Ohm TO-220
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Descrição técnica do produto (IRFB23N15D):
Tensão Vds(max): 150V. Idss (máx.): 250uA. Id (T=25°C): 23A. Id (T=100°C): 17A. Resistência de condução Rds On: 0.09 Ohm. Invólucro (de acordo com a folha de dados): TO-220AB. Invólucro: TO-220. RoHS: sim. Temperatura de operação: -55...+175°C. Número de conexões: 3. Montagem/instalação: montagem em furo passante para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Proteção G-S: não. Td(off): 18 ns. Idss (mín.): 25uA. Td(on): 10 ns. Quantidade por invólucro: 1. Id(imp): 92A. Marcação no invólucro: B23N15D. Vgs(th) mín.: 3V. C (in): 1200pF. C (out): 260pF. Trr Diodo (Mín.): 150 ns. Dissipação de potência máxima: 136W. Embalagem: tubo de plástico. Proteção dreno-fonte: diodo Zener. Tensão porta/fonte Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 5.5V. Unidade de embalagem: 50.