Infineon SPU04N60C3 MOSFET de Potência CoolMOS Canal N, 650V, 4.5A, TO-251 (I-Pak)

Descrição técnica do produto (SPU04N60C3):

Tensão Drain-Source Vds(max): 650V. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (máx): 50uA. Corrente de Dreno Id (T=25°C): 4.5A. Corrente de Dreno Id (T=100°C): 2.8A. Resistência em Condução Rds On: 0.85 Ohms. Encapsulamento (conforme folha de dados): TO-251 (I-Pak). Encapsulamento: TO-251 (I-Pak). Temperatura de operação: -55...+150°C. Número de conexões: 3. Montagem/Instalação: Montagem em furo para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de gate ultrabaixa, classificação dv/dt extrema. Tecnologia: Cool Mos. Proteção Gate-Source: não. Tempo de atraso de desligamento Td(off): 58.5 ns. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (min): 0.5uA. Tempo de atraso de ligação Td(on): 6 ns. Quantidade por encapsulamento: 1. Corrente de Dreno Pulsada Id(imp): 13.5A. Marcação no encapsulamento: 04N60C3. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) min.: 2.1V. Capacitância de Entrada C (in): 490pF. Capacitância de Saída C (out): 160pF. Tempo de Recuperação Reversa do Diodo Trr (Min.): 300 ns. Dissipação Máxima de Potência: 50W. Proteção Drain-Source: Diodo Zener. Tensão Gate-Source Vgs: 20V