Infineon SPP11N60C3 MOSFET de Potência CoolMOS Canal N, 650V, 11A, TO-220

Descrição técnica do produto (SPP11N60C3):

Tensão Drain-Source Vds(max): 650V. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (máx): 100uA. Corrente de Dreno Id (T=25°C): 11A. Corrente de Dreno Id (T=100°C): 7A. Resistência em Condução Rds On: 0.34 Ohms. Encapsulamento (conforme folha de dados): TO-220. Encapsulamento: TO-220. RoHS: sim. Temperatura de operação: -55...+150°C. Número de conexões: 3. Montagem/Instalação: Montagem em furo para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Classificação dv/dt extrema, alta capacidade de corrente de pico. Tecnologia: Cool Mos POWER Transistor. Proteção Gate-Source: não. Tempo de atraso de desligamento Td(off): 44 ns. Corrente de Fuga Drain-Source Idss (min): 0.1uA. Tempo de atraso de ligação Td(on): 10 ns. Quantidade por encapsulamento: 1. Corrente de Dreno Pulsada Id(imp): 33A. Marcação no encapsulamento: 11N60C3. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) min.: 2.1V. Capacitância de Entrada C (in): 1200pF. Capacitância de Saída C (out): 390pF. Tempo de Recuperação Reversa do Diodo Trr (Min.): 400 ns. Dissipação Máxima de Potência: 125W. Proteção Drain-Source: Diodo Zener. Tensão Gate-Source Vgs: 20V. Tensão de Limiar Gate-Source Vgs(th) max.: 3.9V