Infineon IRLB8721 MOSFET de Potência HEXFET Canal N 30V 64A TO-220AB
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Descrição técnica do produto (IRLB8721):
Tensão Vds(max): 30V. Idss (máx): 150uA. Id (T=25°C): 64A. Id (T=100°C): 45A. Resistência em condução Rds On: 0.0065 Ohms. Invólucro (conforme folha de dados): TO-220AB. Invólucro: TO-220. RoHS: Sim. Temperatura de funcionamento: -55...+175°C. Número de conexões: 3. Montagem/instalação: Montagem em furo para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Resistência em condução ultra baixa, comutação rápida. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Proteção G-S: Não. Td(off): 9 ns. Idss (min): 1uA. Td(on): 9.1 ns. Quantidade por invólucro: 1. Id(imp): 250A. Vgs(th) min.: 1.35V. C (in): 1077pF. C (out): 360pF. Trr Diodo (Min.): 16 ns. Dissipação máxima de potência: 65W. Proteção dreno-fonte: Sim. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V.