Fuji Electric 2SK2850 Transistor N-MOSFET, 900V 6A, 1.87 Ohm Rds(on), Encapsulamento TO-3P, Comutaçã

Descrição técnica do produto (2SK2850):

Tensão Vds(max): 900V. Idss (max): 200uA. ID (T=25°C): 6A. Resistência em condução Rds On: 1.87 Ohms. Encapsulamento (de acordo com a folha de dados): TO-3P. Encapsulamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Temperatura de operação: -...+150°C. Montagem/instalação: Montagem em furo passante para PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Tecnologia: TT-MOSV. Proteção G-S: não. Td(off): 110 ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 20 ns. Quantidade por encapsulamento: 1. Id(imp): 24A. Vgs(th) min.: 2.5V. C(in): 950pF. C(out): 140pF. Trr Diodo (Min.): 900ns. Pd (Dissipação de Potência, Max): 125W. Proteção dreno-fonte: sim. Tensão porta/fonte Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 3.5V