Fototransistores e fotodíodos (recepção)

RoHS: sim. Família de componentes: Foto Transistor. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Comprimento de onda dominante [nm]: 850nm. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±55°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 9us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 9us. Diâmetro externo [mm]: 4.3mm. Comprimento externo [mm]: 5.5mm. Largura externa [mm]: 5.5mm. Espessura externa [mm]: 3.6mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +80°C

RoHS: sim. Família de componentes: Fotodiodo PIN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 4.65x4.3mm. Carcaça (padrão JEDEC): 5.08mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 925nm. Tensão de fechamento Ur[V], máx.: 60V. Faça corrente, corrente escura Ir [µA]: 30nA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±65°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 100 ns. Comprimento externo [mm]: 4.65mm. Largura externa [mm]: 4.3mm. Espessura externa [mm]: 2mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: sim. Família de componentes: Fotodiodo PIN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 5mm (T-1 3/4). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 940nm. Tensão de fechamento Ur[V], máx.: 60V. Faça corrente, corrente escura Ir [µA]: 5nA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±20°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 2.5 ns. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 2.5 ns. Diâmetro externo [mm]: 5mm. Comprimento externo [mm]: 8.6mm. Largura externa [mm]: 5.75mm. Espessura externa [mm]: 5.75mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

Comprimento de onda (dominante): 850nm. RoHS: sim. Cor: infravermelho . Nota: 850nm 15°. Nota: LED 5mm. Nota: fototransistor infravermelho. Nota: 850nm, 1nA, 70V, 50mA, 150mW

RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): 930nm 15°. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Família de componentes: Foto Transistor. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 5mm (T-1 3/4). Comprimento de onda dominante [nm]: 930nm. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 70V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±15°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 6us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 5us. Diâmetro externo [mm]: 5mm. Comprimento externo [mm]: 8.6mm. Largura externa [mm]: 5.75mm. Espessura externa [mm]: 5.75mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: sim. Família de componentes: Foto Transistor. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 1.8mm (T-3/4). Carcaça (padrão JEDEC): 50mA. Configuração: montagem através de furo PCB. Comprimento de onda dominante [nm]: 825nm. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±12°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 4.8us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 5us. Diâmetro externo [mm]: 1.8mm. Comprimento externo [mm]: 3.3mm. Número de terminais: 2. Largura externa [mm]: 2.4mm. Espessura externa [mm]: 3.4mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: sim. Família de componentes: Fotodiodo PN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-5. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 565nm. Tensão de fechamento Ur[V], máx.: 10V. Faça corrente, corrente escura Ir [µA]: 30nA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±50°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 3.1us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 3.0us. Diâmetro externo [mm]: 8.13mm. Comprimento externo [mm]: 9.1mm. Largura externa [mm]: 9.1mm. Espessura externa [mm]: 3.1mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

RoHS: sim. Família de componentes: Fotodiodo PIN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 4.65x4.3mm. Carcaça (padrão JEDEC): sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 900nm. Tensão de fechamento Ur[V], máx.: 60V. Faça corrente, corrente escura Ir [µA]: 30nA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±65°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 100 ns. Comprimento externo [mm]: 4.65mm. Largura externa [mm]: 4.3mm. Espessura externa [mm]: 2mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: sim. Família de componentes: Fotodiodo PIN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 4.65x4.3mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 900nm. Tensão de fechamento Ur[V], máx.: 60V. Faça corrente, corrente escura Ir [µA]: 30nA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±65°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 100 ns. Comprimento externo [mm]: 4.65mm. Largura externa [mm]: 4.3mm. Espessura externa [mm]: 2mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: sim. Família de componentes: Fotodiodo PIN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): 215mW. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 950nm. Tensão de fechamento Ur[V], máx.: 60V. Faça corrente, corrente escura Ir [µA]: 30nA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±65°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 100 ns. Comprimento externo [mm]: 5mm. Largura externa [mm]: 4mm. Espessura externa [mm]: 6.8mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: sim. Família de componentes: Foto Transistor. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Comprimento de onda dominante [nm]: 850nm. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 70V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±10°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 6us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 5us. Diâmetro externo [mm]: 4.69mm. Comprimento externo [mm]: 6.15mm. Largura externa [mm]: 5.5mm. Espessura externa [mm]: 5.5mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

RoHS: sim. Família de componentes: Foto Transistor. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 5mm (T-1 3/4). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 850nm. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 70V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±20°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 2us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 2.3us. Diâmetro externo [mm]: 5mm. Comprimento externo [mm]: 8.6mm. Largura externa [mm]: 5.75mm. Espessura externa [mm]: 5.75mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

ângulo de visão: 20°. Comprimento de onda (dominante): 850nm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. VECO: 5V. Número de terminais: 2. Nota: infravermelho 850nm, 200, 180MHz . Nota: VCEO 70V, VECO 5V, IC 50mA. Nota: lado do receptor

RoHS: sim. Família de componentes: Foto Transistor. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça (padrão JEDEC): foto-transistor. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 850nm. Carcaça: 2.4x2.4mm. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±18°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 6us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 6us. Comprimento externo [mm]: 2.4mm. Largura externa [mm]: 2.4mm. Espessura externa [mm]: 3.6mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +80°C

RoHS: sim. Família de componentes: Foto Transistor. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Comprimento de onda dominante [nm]: 830nm. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±8°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 9us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 9us. Diâmetro externo [mm]: 4.8mm. Comprimento externo [mm]: 5.4mm. Largura externa [mm]: 5.6mm. Espessura externa [mm]: 5.6mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

Família de componentes: fototransistor infravermelho. Comprimento de onda: 900nm. Diâmetro: 3mm. Tipo de lente: transparente. ângulo de detecção: 30°

ângulo de visão: 30°. Material: azul transparente . Tipo de canal: N. Diversos: fototransistor infravermelho (receptor) . Função: Fototransistor NPN . Comprimento de onda (dominante): 940nm. Corrente do coletor: 3mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Cor: infravermelho . Tf (tipo): 15us. Carcaça: LED 5mm. Habitação (conforme ficha técnica): cilíndrica convexa T-1 3/4. Tr: 15 ns. Temperatura operacional: -40...+85°C. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. VECO: 5V. Número de terminais: 2. Spec info: lente transparente azul

Comprimento de onda (dominante): 940nm. Corrente do coletor: 3mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Cor: infravermelho . Tf (tipo): 15us. Carcaça: LED 5mm. Habitação (conforme ficha técnica): cilíndrica convexa T-1 3/4. Tr: 15us. Temperatura operacional: -40...+85°C. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. VECO: 5V. Família de componentes: fototransistor infravermelho. Comprimento de onda: 940nm. Diâmetro: 5mm. Tipo de lente: transparente. ângulo de detecção: 30°. Número de terminais: 2. Spec info: lente transparente

Pd (dissipação de energia, máx.): 0.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Cor: infravermelho . Tf (tipo): 15us. Carcaça: LED 3mm. Tr: 15us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -40...+85°C. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. VECO: 5V. Família de componentes: fototransistor infravermelho. Comprimento de onda: 940nm. Diâmetro: 3mm. Tipo de lente: azul transparente . ângulo de detecção: 30°

Família de componentes: fototransistor infravermelho. Comprimento de onda: 940nm. Diâmetro: 3mm. Tipo de lente: transparente. ângulo de detecção: 30°

ângulo de visão: 24°. Função: Foto Transistor. Comprimento de onda (dominante): 900nm. Corrente do coletor: 15mA. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Número de terminais: 2

ângulo de visão: 120°. Comprimento de onda (dominante): 950nm. Capacitância: 72pF. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 20 ns. Carcaça: TO-92. Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. VRRM: 32V. Número de terminais: 2. Nota: diodo infravermelho. Spec info: Tempo de comutação curto

Diâmetro: 5mm. ângulo de visão: 20°. Material: transparente . Propriedades: cilíndrico convexo . Função: Silicon PIN Photodiode. Comprimento de onda (dominante): 850nm. Capacitância: 11pF. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW°. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: LED 5mm. Tr: 0.005us. Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. VRRM: 20V. Número de terminais: 2. Spec info: Tempo de comutação curto

RoHS: sim. Família de componentes: Foto Transistor. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: retangular, 5,08x4,44mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 880nm. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5mA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±25°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 8us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 8us. Comprimento externo [mm]: 5.08mm. Largura externa [mm]: 4.44mm. Espessura externa [mm]: 2.54mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: sim. Família de componentes: Fotodiodo PIN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 5mm (T-1 3/4). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 850nm. Tensão de fechamento Ur[V], máx.: 20V. Faça corrente, corrente escura Ir [µA]: 5nA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±20°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 5 ns. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 5 ns. Diâmetro externo [mm]: 5mm. Comprimento externo [mm]: 9mm. Largura externa [mm]: 5.1mm. Espessura externa [mm]: 5.1mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C