Fairchild HGTG30N60B3D Transistor N-IGBT 600V 30A TO-247

Descrição técnica do produto (HGTG30N60B3D):

Díodo de germânio: não. RoHS: sim. Temperatura de funcionamento: -55...+150°C. Encapsulamento: TO-247. Díodo CE: não. Número de ligações: 3. Montagem/instalação: montagem em orifício passante para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N-P. Encapsulamento (de acordo com a folha de dados): TO-247 (AC) MOS-N-IGBT. Função: Ic 30A a 25°C, 25A a 110°C, Icm 220A (pulsado). Td(off): 137 ns. Tensão coletor-emissor Vceo: 600V. Td(on): 36 ns. Tensão de saturação coletor-emissor VCE(sat): 1.45V. Tensão porta-emissor VGE: 20V. Dissipação de potência máxima: 208W. Tensão limiar porta-emissor VGE(th) mín.: 4.2V. Tensão limiar porta-emissor VGE(th) máx.: 6V.