Fairchild FQA19N60 MOSFET de Canal N 600V 18.5A 0.3 Ohm TO-3PN QFET DMOS

Descrição técnica do produto (FQA19N60):

Tensão Vds(max): 600V. Idss (máx.): 100uA. Id (T=25°C): 18.5A. Id (T=100°C): 11.7A. Resistência de condução Rds On: 0.3 Ohm. Invólucro (de acordo com a folha de dados): TO-3PN. Invólucro: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: sim. Temperatura de operação: -55...+150°C. Número de conexões: 3. Montagem/instalação: montagem em furo passante para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (tipicamente 44nC). Tecnologia: DMOS, QFET. Proteção G-S: não. Td(off): 150 ns. Idss (mín.): 10uA. Td(on): 65 ns. Quantidade por invólucro: 1. Id(imp): 74A. Vgs(th) mín.: 3V. C (in): 2800pF. C (out): 350pF. Trr Diodo (Mín.): 420 ns. Dissipação de potência máxima: 300W. Proteção dreno-fonte: diodo. Tensão porta/fonte Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 5V.