Eupec/Infineon FS75R12KE3GBOSA1 Módulo IGBT de Canal N 1200V 75A 355W
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| 1+Melhor preço | 376.00 € | — |
Descrição técnica do produto (FS75R12KE3GBOSA1):
Tensão coletor/emissor Vceo: 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Invólucro (de acordo com a folha de dados): outro. Invólucro: outro. Diodo de germânio: não. RoHS: sim. Temperatura de operação: -40...+125°C. Dimensões: 122x62x17.5mm. Diodo CE: sim. Número de conexões: 35. Montagem/instalação: montagem em furo passante para placa de circuito impresso. Tipo de canal: N. Função: ICRM 150A Tp=1ms. Nota: 6x IGBT+ Diodo CE. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Ic(puls): 150A. Marcação no invólucro: FS75R12KE3G. C (in): 5300pF. Tensão porta - emissor VGE: 20V. Dissipação de potência máxima: 355W. Tensão de saturação máxima VCE(sat): 2.15V. Tensão porta - emissor VGE(th) mín.: 5.5V. Tensão porta - emissor VGE(th) máx.: 6.5V. Corrente de coletor: 100A.