Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Tensão de ruptura: 120V. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO15 (3.5x6.5mm). Ubr [V] @ Ibr [A]: 120V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 126V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 102V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 600W @ 1ms. Número de terminais: 2. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Função: diodo transil, proteção contra sobretensão