Estrutura dielétrica: bidirecional. Material semicondutor: silício. IFSM: 100A. Tensão de ruptura: 27V. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W, max 600W 1ms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. Número de terminais: 2. Função: diodo transil, proteção contra sobretensão . Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.2ms). Diversos: diodo transil