Diodos supressores transitórios

Tensão de ruptura: 220V. Potência: 1500W. Estrutura dielétrica: unidirecional . Tensão de retenção de direção fechada [V]: 185V. Carcaça: DO-201

RoHS: sim. Família de componentes: Supressor unidirecional da série 1.5 KE (1500W @ 1mseg.). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-201. Tensão de retenção de direção fechada [V]: 77.8V. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Tipo de supressor transitório: unidirecional . Ubr [V] @ Ibr [A]: 86.5V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 91V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 95.5V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 77.8V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tensão de ruptura: 23V. Potência: 5000W. Estrutura dielétrica: unidirecional . Tensão de retenção de direção fechada [V]: 20V. Carcaça: P-600

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. IFSM: 400A. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura: 30 v. Pd (dissipação de energia, máx.): 5000W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: P-600. Habitação (conforme ficha técnica): P600 ( 8x7.5mm ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão direta Vf (min): 3.5V

Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 10000A. Capacitância: 1.5pF. RoHS: sim. Nota: max. Nota: tensão de ignição 600V. Nota: min. Unidade de condicionamento: 350

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Equivalentes: BZG03C12G, BZG03C12TR. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão Zener: 12V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Equivalentes: BZG03C150G, BZG03C150TR. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão Zener: 150V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Equivalentes: BZG03C200G, BZG03C200TR. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMA DO214AC 5.5x2.8mm. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão Zener: 200V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Equivalentes: BZG03C15G, BZG03C15TR. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão Zener: 15V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. RM (máx.): 10uA. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura: 10V. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão Zener: 10V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura: 12V. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Tolerância: 5%. Tensão Zener: 12V

Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Tensão de ruptura: 13V. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD57 (4.57x3.81mm). Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão Zener: 13V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Nota: Zener-Diodes with Surge Current Specification. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura: 130V. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Tensão Zener: 130V

Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura: 15V. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Tolerância: 6 %. Tensão Zener: 15V

Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Tensão de ruptura: 150V. Dimensões: 4.57x3.81mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Tolerância: 5%. Tensão Zener: 150V

Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Nota: SOD57 Glass. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. VRRM: 180V

Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Nota: SOD57 Glass. Nota: 6%, Vz.min 188 - Vz.max 212V. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. RoHS: sim. VRRM: 200V

Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Tensão de ruptura: 22V. Dimensões: 4.57x3.81mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass )

Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Dimensões: 4.57x3.81mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD57 Glass. Tensão Zener: 24V. Diversos: diodo transil

Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Nota: SOD57 Glass. Nota: diodo zener, proteção contra surtos. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. RoHS: sim. VRRM: 36V

Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Nota: SOD57 Glass. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. VRRM: 39V

Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Nota: SOD57 Glass. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. VRRM: 43V

Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Tensão de ruptura: 47V. Dimensões: 4.57x3.81mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD57 Glass. Tensão Zener: 47V

Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Nota: SOD57 Glass. Nota: 4.57x3.81mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. VRRM: 7.5V

Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Dimensões: 4.57x3.81mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Habitação (conforme ficha técnica): SOD57 Glass. Tensão Zener: 8.2V