Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BZT03C150

BZT03C150
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BZT03C150. Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Função: diodo zener, proteção contra surtos. Tensão de ruptura: 150V. Dimensões: 4.57x3.81mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOD-57 ( Glass ). Tolerância: 5%. Tensão Zener: 150V. Produto original do fabricante Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 16:25.

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RoHS: sim. Tensão direta Vf (min): 3.5V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: proteção contra sobretensão. IFSM: 200A. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura: 150V. Pd (dissipação de energia, máx.): 1500W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 5V
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RoHS: sim. Tensão direta Vf (min): 3.5V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: proteção contra sobretensão. IFSM: 200A. Número de terminais: 2. Tensão de ruptura: 150V. Pd (dissipação de energia, máx.): 1500W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 9.0x5.0mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 5V
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