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Circuitos de memória RAM

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R1LV0408DSP-5SI-S0

R1LV0408DSP-5SI-S0

RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Ca...
R1LV0408DSP-5SI-S0
RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO32W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 32. Família de circuitos de memória: R1LV. Tamanho da memória [byte]: 512 KByte. Configuração de memória: 512K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 55 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +2.7V. Tensão máxima de alimentação (V): +3.6V
R1LV0408DSP-5SI-S0
RoHS: sim. Família de componentes: Circuito integrado de memória. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO32W. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 32. Família de circuitos de memória: R1LV. Tamanho da memória [byte]: 512 KByte. Configuração de memória: 512K x 8-bit. Tipo de interface: Paralela. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C. Sinal de clock máximo (MHz): 55 ns. Tipo de memória: Memória SRAM, acesso ao barramento paralelo. Tensão mínima de alimentação (V): +2.7V. Tensão máxima de alimentação (V): +3.6V
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