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BUZ80AF V-MOSFET de Canal N 800V 2.1A 3 Ohm Resistência de Condução
Referência do produto : BUZ80AF
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Descrição técnica do produto (BUZ80AF):
Tensão Vds(max): 800V. Idss (max): 2.1A. ID (T=25°C): 2.1A. ID (T=100°C): 1.5A. Resistência de condução Rds On: 3 Ohms. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Tecnologia: V-MOS (F). Nota: <100/220ns. Quantidade por caixa: 1. Pd (Dissipação de Potência, Máx): 40W.
